Karakteristik Dasar Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi (IGBT)

Karakteristik Listrik Utama

Impedansi Input Tinggi: Mewarisi karakteristik MOSFET, membutuhkan daya penggerak yang rendah, dan memiliki rangkaian penggerak yang sederhana.

 

Penurunan Tegangan Konduksi Rendah: Memanfaatkan efek modulasi konduktivitas; tegangan saturasi keadaan-(Vce(sat)) jauh lebih rendah dibandingkan MOSFET dengan peringkat tegangan yang sama, biasanya 1,5~3V.

 

Tegangan Tinggi dan Kemampuan Arus Besar: Cocok untuk level tegangan dari 600V hingga 6500V, dengan arus mencapai lebih dari 10A hingga 1800A.

 

Frekuensi Peralihan Sedang: Rentang frekuensi pengoperasian biasanya puluhan kHz (seperti 10–100kHz), lebih tinggi dari BJT tetapi lebih rendah dari MOSFET.

 

Koefisien Suhu Positif: Di bawah arus pengenal, Vce(sat) sedikit meningkat seiring suhu, yang bermanfaat untuk pembagian arus bila digunakan secara paralel.