Modul IGBT

Transistor Daya 1200 Volt mencakup peringkat arus dari 20A hingga 300A dan mengintegrasikan lapisan penyangga insulasi untuk mengurangi interferensi elektromagnetik tegangan tinggi. Sangat cocok

Modul Pengalih Daya Industri mencakup tingkat tegangan industri arus utama 600 V dan 1200 V, dengan arus pengenal berkisar antara 30 A hingga 500 A dalam berbagai tingkatan. Ini memiliki beberapa

Setiap modul menjalani pemeriksaan penuh yang mencakup uji keseimbangan 3-fasa, uji kenaikan suhu beban penuh, dan uji ketahanan tegangan. Produk ini memiliki sertifikasi ekspor lengkap termasuk CE

Modul IGBT Penghemat Ruang menggunakan platform tegangan industri 600V dengan peringkat arus dari 15A hingga 130A. Desain substrat termal yang sangat-tipis mengatasi tantangan pembuangan panas pada

Modul Semikonduktor Daya Cerdas mengintegrasikan chip IGBT, sirkuit driver, perlindungan-arus berlebih, perlindungan-tegangan berlebih, perlindungan-suhu berlebih, dan fungsi umpan balik suhu. Ini

Modul IGBT Efisiensi Tinggi mengadopsi platform tegangan 600V yang ringkas dengan peringkat arus dari 20A hingga 120A. Struktur kemasannya yang anti-suhu dan getaran-membuatnya cocok untuk dipasang

Modul Semikonduktor IGBT Universal mencakup platform tegangan 600V dan 1200V dengan peringkat arus dari 30A hingga 150A. Sirkuit penyangga terintegrasi menyederhanakan desain sirkuit eksternal,

Komponen IGBT Arus Tinggi tersedia dalam platform tegangan 600V dan 1200V dengan peringkat arus dari 100A hingga 600A. Sirkuit perlindungan-hubungan pendek-yang terpasang mengurangi risiko kegagalan

Modul Daya Silicon Carbide mendukung-operasi pembawa frekuensi tinggi. Struktur chip SiC yang-tahan suhu-tinggi menyederhanakan desain sistem pendingin. Peringkat tegangan yang tersedia mencakup 600V

Semikonduktor IGBT 100 Amp tersedia dalam dua tingkat tegangan: 600V dan 1200V. Substrat pembuangan panas terintegrasi mengurangi kompleksitas desain termal sistem, sementara proses pengemasan

Seri Perangkat Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi mencakup berbagai spesifikasi tegangan dan arus. Dengan desain chip switching loss yang rendah dan ketahanan arus lonjakan yang kuat, perangkat

Igbt 1200v kami dibuat untuk Anda. Kami adalah Hangzhou Zhongda Motor. Kami mulai mengembangkan semikonduktor daya pada tahun 1987. Igbt 1200v ini adalah kelas tegangan kami yang paling populer. Ini