Definisi Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi

Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi (IGBT) adalah perangkat semikonduktor daya berpenggerak tegangan-komposit yang sepenuhnya dikontrol dan menggabungkan keunggulan MOSFET (Metal-Oksida-Medan Semikonduktor-Transistor Efek) dan BJT (Transistor Persimpangan Bipolar).

 

Poin Definisi Inti
Komposisi Struktur: Terdiri dari impedansi masukan tinggi dan karakteristik yang digerakkan oleh tegangan-dari MOSFET dikombinasikan dengan penurunan tegangan konduksi rendah dan kemampuan membawa arus tinggi dari BJT.

Prinsip Kerja: Dengan memberikan tegangan ke gerbang untuk mengontrol pembentukan saluran, transistor ini menyediakan arus basis ke transistor PNP, sehingga menghasilkan pengaktifan-penghidupan atau-pematian.

Struktur Terminal: Memiliki tiga terminal-Gerbang (G), Kolektor (C), dan Emitor (E).

 

Keuntungan Utama:
Impedansi masukan tinggi (seperti MOSFET, daya penggerak rendah)
Penurunan tegangan konduksi rendah (seperti BJT, kehilangan konduksi rendah)
Cocok untuk aplikasi tegangan tinggi, arus tinggi, dan-frekuensi tinggi sedang